Назарий ёрдам. Қурилмалар техник таснифи.

[WestMedia]

Электротехникадаги схемаларда конденцаторнинг сиғими асосан Фарадда (1 мкФ = 1·10⁶ пФ = 1·10⁻⁶ Ф) пикофарадда (1 пФ = 1·10⁻¹² Ф)  ва нанофарадда (1 нФ = 1·10⁻⁹ Ф) кўрсатилади.. Сиғими 0,01 мкФ  дан катта бўлмаганда конденцатор сиғими пикофарадда кўрсатилади.

Электролитик конденцаторларда ва юқори кучланишли конденцаторлар схемада сиғим бирлигидан сўнг максимал ток кучланиши ҳам Волтьда ва киловаттда кўрсатилади. Масалан:  10 мкФ x 10 В. Ўзгарувчан токка уланадиган конденцаторларда сиғим ўзгарувчанлик диапазони 10-180 тарзда ёзилган бўлади.

[WestMedia]

Ярим ўтказгич (Диод)

Бир ёки бир неча электр ўтишларга эга икии электродли электрон асбобга Диод дейилади. Диодлар радиоэлектрон қурилмаларда ишлатилиши ва бажарадиган вазифасига мувофиқ тавсифланади.

Барча яримўтказгич диодларни икки гуруҳга бўлиш мумкин: тўғриловчи ва махсус вазифаларни бажарувчи.

Тўғриловчи диодлар – ўзгарувчан токни ўзгармас токка ўзгартириш учун қулланилади. Тўғриланувчи ток шакли ва частотасига боғлиқ ҳолда улар паст частотали, юқори частотали ва импулсли диодларга ажратилади.

Махсус вазифаларни бажарувчи диодлар – электрон-ковак ўтишда турли электрофизик хусусиятларидан, масалан, тегишли ҳодисалардан, фотоэлектрик ҳодисалардан фойдаланилади. Махсус вазифани бажарувчи диодлар ўзгармас кучланишни барқарорлаш ва электр схемаларда сигналларни шакллантириш учун қулланилади.    

[WestMedia]

Тўғриловчи диодлар

Тўғриловчи диодлар ўзгарувчан кучланишли электр манбаларини ўзгармасга ўзгартириш учун ишлатилади. Тўғриловчи диодларнининг асосий хусусияти бир томонлама ўтказувчанликни намоён қилишдан иборат. Диодга тўғри кучланиш берилганда эса ток деярли оқмайди.                                                                                                           

Паст чатотали диодлар – тўғриловчи диодларнинг асосий вазифаси саноат частотали ўзгарувчан токни ўзгармас токка ўзгартиришдан иборат. Бунда диод тўғриланган токнинг юқори қийматини таъминлаши зарур. Тўғриловчи диодлар одатда кичик ўрта ва катта қувватли диодларга ажратилади ва мос равишда 0.3А гача, 0.3 дан 10А гача ҳамда 10А дан катта токларда ишлатишда мўлжалланган. Паст частотали диодларнинг ковак-ўтиш юзаси бошқа диодларга қараганда каттароқ бўлади.

[WestMedia]

Стабилитрон

Схемада кучланиш қийматини барқарор сақлаб турувчи яримўтказгичга айтилади. Стабилитрон ток занжирида токнинг қиймати кескин ўзгарганда кучланиш деярли ўзгартирмасдан ўтказади. Кенг тарқалган кам қувватли кремнийли стабилитронлар учун кўчки токи қиймати тахминан 10мА ни ташкил этади. Шунинг учун стабилитрон орқали ўтаётган токни чеклаш учун унга кетма-кет чекловчи балласт қаршилик уланади. Агар стабилитрондан оқаётган кўчки ток қиймати рухсат этилган ток қийматидан ортмаса, бу тартибда у узоқ вақт ишлаши мумкин. Кўпгина стабилитронлар учун рухсат этилган сочилувчи қувват 0.1-0.8кВт гача бўлган қийматларни ташкил этади.  

[WestMedia]

Биполяр транзисторлар

Ўзаро таъсирланувчи икки ўтишдан ташкил топган, сигналларни ток, кучланиш ва қувват бўйича кучайтирувчи уч электродли ярим ўтказгичга – биполяр транзистор дейилади.

Биполяр тразисторда икки хил заряд ташувчилар, яъни электронлар ва коваклар ташкил этади.

Биполяр тразисторда р- ва n- ўтказувчанлик тури такрорланувчи учта яриммўтказгич соҳага эга. Булар эмиттер (1) база (2) ва коллектор (3)

Яримўтказгич соҳаларини белгилашда асосий заряд ташувчилар концентрация юқори бўлган соҳа p⁺ёки n⁺ белгисини қўйиш билан бошқа соҳалардан фарқланиши қабул қилинган. 

[WestMedia]

Транзистор тузилмасининг бошқа чеккасида жойлашган n — соҳа (n⁺-p-н) ёки п — соҳа (p⁺-н-p) коллектор (К) деб аталади. Унинг вазифаси база соҳасидаги асосий заряд ташувчиларни экстраксиялашдан иборат. Эмиттер билан база орасидаги р - n ўтиш эмиттер ўтиш, коллектор билан база орасидаги р - n ўтиш эса коллектор ўтиш деб аталади.

База соҳаси эмиттер ва коллектор ўтишларнинг ўзаро таьсирлашувини таьминлаши кераклиги сабабли, БТнинг база соҳаси кенглиги базадаги ноасосий заряд ташувчилар диффузия узунлигидан кичик (р⁺-n-р БТ учун L_b<< L_p) бўлиши шарт. Акс ҳолда эмиттердан базага инжексияланган асосий заряд ташувчилар КЎгача етиб бормайдилар ва БТ самарадорлиги пасаяди. Одатда, база соҳаси кенглиги L_b~ 0,01÷1 мкм ни ташкил этади.

[WestMedia]

Тузилиш хусусиятларига ва тайёрлаш технологиясига кўра БТлар эритиб тайёрланган, планар ва планар-эпитаксиал транзисторларга ажратилади. Қотишмали транзисторларнинг база соҳасида киритмалар тақсимланиши бир жинсли (текис) бўлганлиги сабабли, унда электр майдон ҳосил бўлмайди. Шунинг учун электрон зарядлар базадан коллекторга диффузия ҳисобига кўчадилар.

Планар ва планар-эпитаксиал транзисторларнинг база соҳасида киритмалар консентрацияси тақсимоти бир жинсли эмас (нотекис) бўлиб, у коллекторга силжиган сари камайиб боради. Бундай БТлар дрейфли транзисторлар деб аталади. Киритмалар консентрацияси градийенти ички электр майдон ҳосил бўлишига олиб келади ва электрон зарядлар базадан коллекторга дрейф ва диффузия жараёнлари ҳисобига кўчадилар. Демак, дрейфли БТларнинг тезкорлиги юқори бўлади.

[WestMedia]

БТлар асосан частоталарнинг кенг диапазонида ва қувват бўйича электр сигналларни ўзгартувчи, генератор ва кучайтиргич схемаларни ҳосил қилиш учун ишлатилади.

БТлар частота бўйича: паст частотали - 3 МГс гача; ўрта частотали 0,3-30 МГс; юқори частотали 30-300 МГс; ўта юқори частотали - 300 МГс дан юқори гуруҳларга бўлинади.

Қувват бўйича - кам қувватли - 0,3 Вт гача; ўрта қувватли -0,3- 1,5 Вт; катта қувватли - 1,5 Вт дан юқори гуруҳларга ажратилади.

Наносекунд диапазонида катта қувватли импулсларни ҳосил қилишга мўлжалланган кўчкили транзисторлар БТларнинг яна бир турини ташкил этади.

[WestMedia]

Транзистор эквивалент схемасининг қандай бўлиши унинг иш режимига боғлиқ бўлиб, унинг характеристикасининг ишчи соҳаси билан белгиланади. Шунга кўра транзисторнинг эквивавлент схемалари хилма хилдир.

Амалий жиҳатдан транзисторнинг кучайтириш режими катта  аҳамиятга ега.  Бу режим учун паст частоталар соҳасида Т-симон эквивалент схема кенг тарқалган.  Ундаги R_е эмиттер-база ўтишида  ҳосил  бўладиган  диоднинг  тўғри ўтиш қаршилиги,  R_к- коллектор-база ўтишида ҳосил бўладиган диоднинг тескари ўтиш қаршилиги, R_b эса, база қатлами кристалининг қаршилигидир. Бу қаршиликлар дифференсиал, яьни транзисторнинг ўзгарувчан токка бўлган қаршилигидир.

Е_екв- эквивалент генераторнинг электр юритувчи кучи бўлиб, у эмиттер токининг коллектор занжирига бўлган таьсирини ифодалайди. Шунинг учун бу генератор ҳосил қиладиган ток емиттер токи йўналишида бўлади.  Коллектор токи эмиттер токи  билан аI_е кўринишда боғланганлиги ва  коллекторнинг қаршилиги R_к эканини ҳисобга олсак, эквивалент генетраторнинг ЕЮК Е_экв = аI_еR_к = I_еR_м каби ифодаланади

[WestMedia]

ADSL (инглиз тилидан олинган Asymmetric Digital Subscriber Line — носимметрик рақамли абонент линияси) 

ADSL технологиясида каналнинг ўтказиш қобилияти кирувчи ва чиқувчи траффик орасида носимметрик тақсимланган.

Бу технологиядан телефон линиялари ёрдамида частота орқали маълумот алмашишда фойдаланилади. ADSL 26кГц дан 1.2МГц гача бўлган частоталарда ишлайди. Телефон линияси ишчи частотаси 0.3-3.4кГц ни ташкил этади. Шунинг учун ҳам ADSL технологисидан фойдаланганда телефон сўзлашувлари халақит бермайди. 

Телефон линияси орқали келаётган сигналлар демодулятор (модем) орқали модуляцияланади ва маълумот алмашинувчи алоҳида ажратилган канал ҳосил бўлади.